经过十多年研究和发展，280nm以下的深紫外UVLED外量子效率已超过5%，对应发光功率大于5mW，寿命达10000h。功率的提升推动应用领域的发展，深紫外线LED的用途包括：光学传感器和仪器(230~400 nm）、 紫外线身份验证、条码(230~280 nm）、饮用水杀菌、便携式杀菌（240~280 nm）。但深紫外任存在些问题。　　

1、功率低?　　

深紫外LED外量子效率已超过5%，但与蓝光的60%相比仍然很低，其原因如下。　　

（1）模板材料质量缺陷，在蓝宝石上外延的A1N材料的位错密度高达1X109cm2，而图形衬底生长的GaN材料的位错密度约为1 X107cm2，故采用图形衬底提高模板材料质量。　　

（2）多层结构中深紫外光的全内反射损失，以及P型电极的吸收导致光提取效率差，目前光萃取效率只有6%。须取得对p型欧姆接触的突破，减少对高吸光p-GaN的依赖；优化多层异质结之问的折射率差；运用图形衬底;粗化出光面。　

（3）高铝组分的A1GaN会出现明显的量了极化效应，使量子阱和垒中出现极化电场，导致工作电压升高和量子效率下降。解决办法为使用非极性面（如a面）蓝宝石作为衬底，或采用组分渐变方法进行抵消。　　

LG所生产的UVC LED 功率己经达到了100ｍＷ。寿命 也能达到10000ｈ。

2、散热性差　　

外量子效率低致使大部分电能转化为热能，因此散热问题很关键。从芯片和封装方面看，薄膜倒装深紫外LED和倒装焊深紫外LED可以提高散热，可制作高功率深紫外LED。　　

3、寿命低　　

与蓝光的100000h比，深紫外LED的寿命只有10000h，其低寿命主要归因于材料缺陷和散热不良，以及封装材料受紫外线照射易老化。