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QL80S4H-A/B/C/D/E-Y
产品名称：QL80S4H-A/B/C/D/E-Y 808nm 500mW 激光二极管
产品型号：QL80S4H-A/B/C/D/E-Y
产品波长：808nm
工作电流：500mA
产品功率：500mW
产品封装：TO-18 (φ5.6mm)
- 固态激光激发 - 医疗用途 - 物质过程 - 测量 - 舞台灯光
规格书下载： Know
♦OVERVIEW
QL80S4H-A/B/C/D/E-Y is a MOCVD grown 808nm band laser diode with quantum well structure.
It's an attractive light source, with a typical light output power of 500mW for optoelectronic devices
such as solid state laser pumping and medical use.
♦APPLICATION
- Solid state laser excitation
- Medical use
- Material processes
- Measurement
♦FEATURES
- Optical Power Output : 500mW CW
- Package Type : TO-5 (9mmφ)
- Polarization Mode : TM Mode (Type Y)
- Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode (Option)
♦概述
QL80S4H-A/ B/ C / D/ EY与量子阱结构的MOCVD生长的808nm波段的激光二极管。
这是一个有吸引力的光源，具有500mW的的光电器件的典型光输出功率
如固体激光器泵浦和医疗使用。
♦应用
- 固态激光激发
- 医疗用途
- 物质过程
- 测量
♦特点
- 光输出功率：500mW的CW
- 封装类型：TO-5（9mmφ）
- 偏振模：TM模式（Y型）
- 内置光电二极管监测激光二极管（可选）
