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QL83O6S-A/B/C
产品名称：QL83O6S-A/B/C 830nm 100mW 半导体激光二极管
产品型号：QL83O6S-A/B/C
产品波长：830nm
工作电流：185mA
产品功率：100mW
产品封装：TO-18 (φ5.6mm)
- 传感器 - 工业光模块 - 3D动作识别
规格书下载： Know
♦OVERVIEW
QL83O6S-A/B/C is a MOCVD grown 830nm band AlGaAs laser diode with quantum well structure.
It's an attractive light source, with a typical light output power of 100mW for industrial optical module
and sensor applications.
♦APPLICATION
- Sensor
- Industrial Optical Module
♦FEATURES
- Visible Light Output : λp = 830 nm
- Optical Power Output : 100mW CW
- Package Type : TO-18 (5.6mmφ)
- Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode
♦概述
QL83O6S-A/ B/ C是MOCVD生长830nm的频带的AlGaAs激光量子阱结构二极管。
这是一个有吸引力的光源，具有100mW的的工业光模块的典型光输出功率
和传感器应用。
♦应用
- 传感器
- 工业光模块
♦特点
- 可见光输出：λP=830纳米
- 光输出功率：100mW的CW
- 封装类型：TO-18（5.6mmφ）
- 内置光电二极管监测激光二极管
