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QL85O6S-A/B/C/L
产品名称：QL85O6S-A/B/C/L 850nm 100mW 半导体激光二极管
产品型号：QL85O6S-A/B/C/L
产品波长：850nm
工作电流：125mA
产品功率：100mW
产品封装：TO-18 (φ5.6mm)
- 传感器 - 工业光模块 - 3D动作识别
规格书下载： Know
¨OVERVIEW
QL85O6S-A/B/C/L is a MOCVD grown 850nm band AlGaAs laser diode with quantum well structure.
It's an attractive light source, with a typical light output power of 100mW for industrial optical module
and sensor applications.
¨APPLICATION
- Sensor
- Industrial Optical Module
¨FEATURES
- Visible Light Output : lp = 850 nm
- Optical Power Output : 100mW CW
- Package Type : TO-18 (5.6mmf)
- Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode
概观
QL85O6S-A/ B / C/ L是MOCVD生长的850nm波段的AlGaAs激光量子阱结构二极管。
这是一个有吸引力的光源，具有100mW的的工业光模块的典型光输出功率
和传感器应用。
应用
- 传感器
- 工业光模块
特征
- 可见光输出：LP=850纳米
- 光输出功率：100mW的CW
- 封装类型：TO-18（5.6mmf）
- 内置光电二极管监测激光二极管
