联系我们 Contact Us
地 址：深圳市龙华区大浪街道高峰大厦7楼
网 址：www.longstartech.com.cn
电 话：0755-2556 9680
传 真：0755-2556 6650
手 机：15697542027（同V）
邮 箱：James@longstartech.com.cn
公司新闻
UVLED（紫外LED）的组成： 由夹在较薄GaN三明治结构中给一个或多个InGaN量子阱组成，形成的有源区为覆层。通过改变InGaN量子阱中InN-GaN的相对比例，发射波长可 由紫光变到其他光。AlGaN通过改变AlN比例能用于制作UVLED中的覆层和量子阱层，但这些器件的效率和成熟度较差。如果有源量子阱层是GaN，与 之相对是InGaN或AlGaN合金。。。
更新日期：2018-8-6 来源：www.longstartech.com.cn
LED固化是能源固化领域最吸引人的一项技术。2008年，LED固化技术首次在德鲁巴展会上亮相，并引起了业内的广泛关注，很多印刷机和油墨制造商都展示了自己的这项技术，与此同时，它在喷墨领域也取得了一定的进展，太阳化工和INX?Digital都是该领域的佼佼者。 。。。
更新日期：2018-8-6 来源：www.longstartech.com.cn
目前市场上主要有：UV-LED点光源固化机， UV-LED线光源固化机，UV-LED面光源固化机，便携式UV-LED固化装置
应用领域 ：
微电子行业-UV光固化应用
1． 手机元件装配（相机镜头、听筒、话筒,外壳,液晶模组,触摸屏涂层等） 。。。
更新日期：2018-8-6 来源：www.longstartech.com.cn
众所周知，三十多年以前紫外线（UV光）被成功的推广到商业应用。各胶黏剂生产商针对UV光固化特性，研制出用于粘接、密封、印刷等系列UV产品，并广泛应用于通讯、电子、光学、印刷等众多领域。这些产品在UV光（一定波长及一定光强度）照射下，会固化或硬化（聚合），并且与传统产品－－UV光固化更加快高效、节能环保。 。。。
更新日期：2018-8-6 来源：www.longstartech.com.cn
UV-LED单个芯片面积小，便于灵活设计；但相应的是单个芯片的辐射功率也较低，在很多应用中难以满足高辐射功率密度的要求，这也是目前UV-LED在众多领域很难替代UV放电灯的重要原因之一。。。。
更新日期：2018-8-6 来源：www.longstartech.com.cn
新一代的尖端技术“深紫外LED（发光二极管）”能释放出具有杀菌作用，而且肉眼看不到的光线。这种具有杀菌作用的光线，叫作深紫外线。在LED领域现在开发的主要是释放“UV-C”，即100～280nm（纳米，纳为10亿分之1）光线的类型。
深紫外线的威力早就得到了证实。深紫外线能直接作用于生命的基础——DNA，从根本上掐断细菌繁殖。研究表明，波长为260n。。。
更新日期：2018-8-6 来源：www.longstartech.com.cn
洞察合作伙伴宣布“UV LED市场的2025–全局分析和预测技术（UV-A UV-B增加LED，LED，LED的应用（UV-C），固化、医疗、电子设备、水处理、安全及其他）”，他们提供的报告。
UVLED市场预计将从2016美元的2025美元增长1亿7840万美元，增长13亿1170万美元。过去十年，UV LED市场已扩大了五倍以上。自那时以来，市场在。。。
更新日期：2018-3-30 来源：www.longstartech.com.cn
紫外线固化的概念包括使用能源使墨水从液态到固态不透明的物理阶段转变。或者换一种方式，操纵光（能量）穿透厚颜料墨水膜，它实际上是为了防止光的穿透而设计的。紫外线辐射是电磁辐射光谱的一部分。它是相邻的短波部分flx100 UV LED editedof可见光，达到电离辐射。紫外波段本身是分为离散的领域如UVA长波辐射，紫外线中的UVC短波辐射。治疗包括感光材料的。。。
更新日期：2018-3-30 来源：www.longstartech.com.cn
在2020年的《水俣公约》中明确提出，禁止汞灯的使用。那么汞灯和新型的UVLED灯的区别在哪呢？
汞灯：
1.传统汞灯的耗能大，需要开启的时间长。
2.传统汞灯污染比较严重，需要用到抽风机。
3.汞灯处理灯管需要特地的公司来处理。
4.汞灯的占地面积大
UVLED灯：
1.寿命长，维护成本低
2.高光强，输出稳定
3.冷光源，不热辐。。。
更新日期：2018-3-30 来源：www.longstartech.com.cn
对于UVLED很多人是不了解的，那么通俗易懂的来说就是紫外LED，LED灯那么多种，为什么要选UVLED呢？
首先就说一下UVLED与普通常见的LED有什么不一样。
UVLED（紫外LED）的组成：由夹在较薄GaN三明治结构中给一个或多个InGaN量子阱组成，形成的有源区为覆层。通过改变InGaN量子阱中InN-GaN的相对比例，发射波长可由紫光变到。。。
更新日期：2018-3-30 来源：www.longstartech.com.cn
