- ◆ 材料类
- ALN TEMPLATE
- GAN TEMPLATE
- ◆ 外延类
- 硅基2'' 4'' 6'' LED外延
- AlGan基 2'' 4'' LED外延
- ◆ 灯珠/芯片类
- 3535 UVCLED
- 4545UVCLED
- 3535 UVBLED
- 4545UVBLED
- VCSEL/EEL芯片
- SMD贴片
- ◆ QSI激光类
- 635nm
- 650nm
- 395nm
- 670nm
- 680nm
- 780nm
- 808nm
- 850nm
- 830nm
- 905nm
- ◆ 夏普激光类
- 385nm
- 395nm
- 405nm
- 425nm
- 395-414nm
- 430-450nm
- 435nm
- 440nm
- 450nm
- 480nm
- 487nm
- 505nm
- 515nm
- 518nm
- 520nm
- 525nm
- 638nm
- 639nm
- 640nm
- 660nm
- 661nm
- 780nm
- ◆ 欧司朗激光类
- 405nm
- 445nm
- 450nm
- 510nm
- 520nm
- ◆ 设备类
- TES MOCVD
- 一秒光杀菌产品
- 点光源
- 面光源
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QL83R6S-A/B/C/L
产品名称：QL83R6S-A/B/C/L 830nm 200mW
产品型号：QL83R6S-A/B/C/L
产品波长：830nm
工作电流：230mA
产品功率：200mW
产品封装：TO-18 (φ5.6mm)
- 动作识别传感器 - 工业光模块
规格书下载： Know
¨OVERVIEW
QL83R6S-A/B/C/L is a MOCVD grown 830nm band AlGaAs laser diode with quantum well structure.
It's an attractive light source, with a typical light output power of 200mW for industrial optical module
and sensor applications.
¨APPLICATION
- Motion Recognition Sensor
- Industrial Optical Module
¨FEATURES
- Visible Light Output : lp = 830 nm
- Optical Power Output : 200mW CW
- Package Type : TO-18 (5.6mmf)
- Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode
概观
QL83R6S-A/ B / C/ L是MOCVD生长830nm的频带的AlGaAs激光量子阱结构二极管。
这是一个有吸引力的光源，具有200mW的的工业光模块的典型光输出功率
和传感器应用。
应用
- 动作识别传感器
- 工业光模块
特征
- 可见光输出：LP=830纳米
- 光输出功率：200mW的CW
- 封装类型：TO-18（5.6mmf）
- 内置光电二极管监测激光二极管
